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簡(jiǎn)要描述:PicoFemto透射電鏡原位MEMS低溫電學(xué)測(cè)量系統(tǒng),是在標(biāo)配MEMS芯片樣品桿上集成低溫控制模塊,實(shí)現(xiàn)低溫電學(xué)測(cè)量或全溫區(qū)測(cè)量功能。
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產(chǎn)品描述
PicoFemto透射電鏡原位MEMS低溫電學(xué)樣品桿,是在標(biāo)配MEMS芯片樣品桿上集成低溫控制模塊,實(shí)現(xiàn)低溫電學(xué)測(cè)量或全溫區(qū)測(cè)量功能。
透射電子顯微鏡指標(biāo):
△ 兼容型號(hào)電鏡及極靴;
△ 單傾可選高傾角版本;
△ 可選雙傾版本,β角傾轉(zhuǎn)±25°(同時(shí)受限于極靴);
△ 測(cè)量電極數(shù)可選。
電學(xué)測(cè)量指標(biāo):
△ 包含一個(gè)電流電壓測(cè)試單元;
△ 電壓輸出最大±200 V,最小±100 nV;
△ 電流測(cè)量最大±1.5 A,最小100 fA;
△ 恒壓或者恒流模式;
△ 自動(dòng)電流-電壓(I-V)測(cè)量、電流-時(shí)間(I-t)測(cè)量,自動(dòng)保存。
低溫指標(biāo):
△ 兼容MEMS加熱及電學(xué)芯片;
△ 全溫區(qū)測(cè)量,溫度范圍:85 K- 380 K;
△ 控溫穩(wěn)定性:優(yōu)于±0.1 K;
△ 溫度連續(xù)可控
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